Università di Catania
C.L. Ingegneria per l'ambiente e il territorio (sede di Enna)
(4° anno - v.o.)

ELETTROTECNICA
A.A. 2001/2002
(Docente: Ing. Nunzio Salerno)
Lezione del 15.4.2002 dalle ore 10.00 alle ore 13.00

Argomenti trattati

Analisi in regime sinusoidale Teorema fondamentale del regime sinusoidale teorema principale sulla combinazione lineare di sinusoidi con uguale pulsazione e delle loro derivate di ordine qualsiasi
conseguenze sul termine noto dell'equazione differenziale di ordine minimo
frequenze naturali a parte reale < 0 <--> circuito asintoticamente stabile
enunciato del teorema fondamentale Fasori definizione
rappresentazione vettoriale nel piano complesso
vettori rotanti, pulsazione positiva = rotazione antioraria = angoli crescenti nel tempo
proprietà di linearità
LK con i fasori
proprietà di derivabilità calcolo della risposta in regime sinusoidale con il metodo dei fasori Impedenza e ammettenza equazioni di lato in termini di fasori
diagrammi vettoriali nel piano complesso
definizione di impedenza e ammettenza in funzione della pulsazione
relazione tra modulo e fase di Z e Y
collegamenti serie e parallelo in termini di fasori
reattanza capacitiva e reattanza induttiva (XC e XL)
induttori accoppiati in regime sinusoidale Potenza in regime sinusoidale potenza istantanea ad una porta
potenza fluttuante e potenza media
potenza complessa, potenza attiva (o reale), potenza reattiva unità di misura valori efficaci e potenza apparente
Teorema di Boucherot Ipotesi rete lineare tempo invariante in regime sinusoidale Tesi le potenze attive e le potenze reattive si conservano Dimostrazione dal teorema di Tellegen: [V]T[I*]=[0]
il generico lato ha equazione: V=-E+ZI
E1I1*+...+EnIn*=Z1|I1|2+...+Zn|In|2
P1+...+Pn+j(Q1+...+Qn)=R1|I1|2+...+Rn|In|2+j(X1|I1|2+...+Xn|In|2)
P1+...+Pn=R1|I1|2+...+Rn|In|2
Q1+...+Qn=X1|I1|2+...+Xn|In|2